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SiR414DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.012
0.009
T J = 25 °C
0.006
T J = 125 °C
1
0.003
T J = 25 °C
0.1
0.000
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.1
1.7
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
160
120
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
1.3
I D = 250 μA
8 0
0.9
40
0.5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited by R DS(on) *
100 μs
10
1
0.1
1 ms
10 ms
100 m s
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 64727
S09-0319-Rev. A, 02-Mar-09
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